El horno de difusión que podría realizar el proceso de oxidación se compone de un marco de horno, un calentador, un dispositivo de control de calentamiento, un dispositivo de medición de temperatura, un tubo de horno de cuarzo, una bandeja portadora de vaivén, una ruta de gas y un tratamiento de gases de escape. dispositivo. Los requisitos de control de temperatura de este tipo de hornos de difusión son los siguientes:

 

El horno de difusión por oxidación generalmente utiliza termopares dentro y fuera del horno para controlar dinámicamente la temperatura. Cada zona de temperatura está equipada con un termopar interior y otro exterior para garantizar la confiabilidad del control de temperatura. El termopar semiconductor tipo S (la práctica común utiliza un termopar multipunto que tiene 3-9 puntos diferentes para capturar información de temperatura) a menudo se elige como el termopar interno que se usa para detectar la temperatura de la oblea de silicio directamente, y podría traducirse en Visualización precisa de la temperatura de la oblea.

 

 

Duchin Instrument desarrolló tipos de estructuras para termopar multipunto, equipos de calibración de termopar multipunto para experimentos, un tipo de estructura de unión fría para termopar multipunto, un tipo de estructura de embalaje de terminales para termopar multipunto, tipos de protección de metal compuesto tubo de termopar multipunto para horno de oxidación y otras tecnologías patentadas para cumplir con los requisitos de detección de temperatura del horno de difusión. Los parámetros técnicos del termopar semiconductor tipo S especializado para equipos fotovoltaicos son los siguientes:

 

 

 

 

 

 

 

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